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參數(shù)資料
| 型號： | M29W800AB100N5T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆1兆x8或512KB的x16插槽，引導(dǎo)塊低壓單電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 234K |
| 代理商： | M29W800AB100N5T |
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M29W800AT, M29W800AB
20/33
Table 19. Write AC Characteristics, E Controlled
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or –40 to 85
°
C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. This timing is for Temporary Block Unprotection operation.
Symbol
Alt
Parameter
M29W800AT / M29W800AB
Unit
80
90
V
CC
= 3.0V to 3.6V
CL = 30pF
V
CC
= 3.0V to 3.6V
CL = 30pF
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
80
90
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
0
0
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip Enable High
35
45
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
30
30
ns
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output Enable Low
0
0
ns
t
EHRL(1)
t
BUSY
Program Erase Valid to RB Delay
80
90
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
45
45
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
35
35
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
0
0
ns
t
PHPHH(1, 2)
t
VIDR
RP Rise TImeto V
ID
500
500
ns
t
PHWL(1)
t
RSP
RP High to Write Enable Low
4
4
μ
s
t
PLPX
t
RP
RP Pulse Width
500
500
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
50
50
μ
s
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
0
0
ns
POWER SUPPLY
Power Up
The memory Command Interface is reset on pow-
er up to Read Array. The device does not accept
commands on the first rising edge of W, if both W
and E are at V
IL
with G at V
IH
during power-up.
Any write cycle initiation is blocked when V
CC
is
below V
LKO
.
Supply Rails
Normal precautions must be taken for supply volt-
age decoupling; each device in a system should
have the V
CC
rail decoupled with a 0.1
μ
F capacitor
close to the V
CC
and V
SS
pins. The PCB trace
widths should be sufficient to carry the V
CC
pro-
gram and erase currents required.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800AB100ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M29W800AB120M1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB120N1 | 功能描述:閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB-120N1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M29W800AB120N6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 1MX8/512KX16 120NS 48TSOP - Trays |
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