參數(shù)資料
型號： M29W800DB70N6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
中文描述： 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 21/41頁
文件大?。?/td> 219K
代理商： M29W800DB70N6T
21/41
M29W800DT, M29W800DB
Table 11. DC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
μ
A
I
CC1
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
,
f = 6MHz
10
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
±0.2V,
RP = V
CC
±0.2V
100
μ
A
I
CC3
(1)
Supply Current (Program/Erase)
Program/Erase
Controller active
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7V
CC
V
CC
+0.3
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
–0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
I
ID
Identification Current
A9 = V
ID
100
μ
A
V
LKO
Program/Erase Lockout Supply
Voltage
1.8
2.3
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W800DB70ZA1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB70ZA6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90N1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90N6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90ZA1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT -40 to 85
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參數(shù)描述
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M29W800DB70ZE6E 功能描述:閃存 1Mx8 ot 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800DB70ZE6E_NUD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
M29W800DB70ZE6F 功能描述:閃存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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