參數資料
型號： M29W800DB70N6T
廠商： 意法半導體
英文描述： Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
中文描述： 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數： 26/41頁
文件大小： 219K
代理商： M29W800DB70N6T
M29W800DT, M29W800DB
26/41
PACKAGE MECHANICAL
SO44 – 44 lead Plastic Small Outline, 525 mils body width, Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
SO44 – 44 lead Plastic Small Outline, 525 mils body width, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
2.80
0.1102
A1
0.10
0.0039
A2
2.30
2.20
2.40
0.0906
0.0866
0.0945
b
0.40
0.35
0.50
0.0157
0.0138
0.0197
C
0.15
0.10
0.20
0.0059
0.0039
0.0079
CP
0.08
0.0030
E
13.30
13.20
13.50
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0.5197
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D
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28.00
28.40
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e
1.27
–
–
0.0500
–
–
HE
16.00
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16.25
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0.6201
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L
0.80
0.0315
N
44
44
α
8
8
SO-d
E
N
D
C
L
A1
α
EH
A
1
e
CP
b
A2
相關PDF資料
PDF描述
M29W800DB70ZA1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB70ZA6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90N1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90N6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90ZA1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT -40 to 85
相關代理商/技術參數
參數描述
M29W800DB70ZA6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 48 Pin, Plastic, BGA
M29W800DB70ZE6 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800DB70ZE6E 功能描述:閃存 1Mx8 ot 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800DB70ZE6E_NUD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
M29W800DB70ZE6F 功能描述:閃存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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