參數資料
型號： M29W800DB70N6T
廠商： 意法半導體
英文描述： Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
中文描述： 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數： 28/41頁
文件大小： 219K
代理商： M29W800DB70N6T
M29W800DT, M29W800DB
28/41
TFBGA48 6x9mm – 6x8 active ball array – 0.80mm pitch, Bottom View Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
TFBGA48 6x9mm – 6x8 active ball array – 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.200
0.0079
A2
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b
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D
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D1
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–
–
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–
–
ddd
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E
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e
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–
–
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–
–
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–
–
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–
–
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–
–
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–
–
FE
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–
–
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–
–
SD
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–
–
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–
–
SE
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–
–
0.0157
–
–
E1
E
D1
D
e
b
A2
A1
A
BGA-Z00
ddd
FD
FE
SD
SE
e
BALL "A1"
相關PDF資料
PDF描述
M29W800DB70ZA1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB70ZA6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90N1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90N6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90ZA1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT -40 to 85
相關代理商/技術參數
參數描述
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M29W800DB70ZE6E_NUD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
M29W800DB70ZE6F 功能描述:閃存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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