參數(shù)資料
型號： M30302FAPFP
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
中文描述： 單片16位CMOS微機
文件頁數(shù)： 26/57頁
文件大?。?/td> 583K
代理商： M30302FAPFP
M16C/30P Group
5. Electrical Characteristics
Rev.1.22
REJ03B0088-0122
Mar 30, 2007
Page 26 of 53
NOTES:
1.
2.
Referenced to V
CC1
=4.5 to 5.5V, 3.0 to 3.6V at Topr = 0 to 60
°
C (U3, U5) unless otherwise specified.
Program and Erase Endurance refers to the number of times a block erase can be performed.
If the program and erase endurance is 100, each block can be erased 100 times.
For example, if a 4 Kbytes block A is erased after writing 1 word data 2,048 times, each to a different address, this counts as
one program and erase endurance. Data cannot be written to the same address more than once without erasing the block.
(Rewrite prohibited)
Maximum number of E/W cycles for which operation is guaranteed.
Topr = -40 to 85
°
C (U3) / -20 to 85
°
C (U5).
3.
4.
Table 5.4
Flash Memory Version Electrical Characteristics
(1)
Symbol
Parameter
Standard
Typ.
Unit
Min.
100
(3)
Max.
t
PS
Program and Erase Endurance
(2)
Word Program Time (V
CC1
=5.0V
)
Lock Bit Program Time
Block Erase Time
(V
CC1
=5.0V
)
cycle
μ
s
μ
s
s
s
s
s
μ
s
year
25
25
0.3
0.3
0.5
0.8
200
200
4
4
4
4
15
4-Kbyte block
8-Kbyte block
32-Kbyte block
64-Kbyte block
Flash Memory Circuit Stabilization Wait Time
Data Hold Time
(4)
10
Table 5.5
Flash Memory Version Program / Erase Voltage and Read Operation Voltage
Characteristics
Flash Program, Erase Voltage
V
CC1
= 3.3 ± 0.3 V or 5.0 ± 0.5 (
T
opr
= 0
°
C to 60
°
C )
V
CC1
=2.7 to 5.5 V (
T
opr
= -40
°
C to 85
°
C (U3)
Flash Read Operation Voltage
-20
°
C to 85
°
C (U5))
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M30620FCPFP SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
M306N0FGTFP Circular Connector; No. of Contacts:19; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:14; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Straight Plug; Insert Arrangement:14-19
M306N0MCT PTSE 19C 19#20 PIN PLUG 023
M30L0R7000T0 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R7000T0ZAQ 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory
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參數(shù)描述
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M30302FAPFP#U5 功能描述:IC M16C/30P MCU FLASH 96K 100QFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:M16C™ M16C/30 標準包裝:250 系列:80C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，UART/USART 外圍設(shè)備:POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):40 程序存儲器容量:- 程序存儲器類型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-LCC（J 形引線） 包裝:帶卷 (TR)
M30302FAPGP 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
M30302FAPGP#U3 功能描述:IC M16C/30P MCU FLSH 96K 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:M16C™ M16C/30 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 標準包裝:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心處理器:M32C/80 芯體尺寸:16/32-位 速度:32MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外圍設(shè)備:DMA，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):121 程序存儲器容量:384KB（384K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-20°C ~ 85°C 封裝/外殼:144-LQFP 包裝:托盤 產(chǎn)品目錄頁面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87
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