參數(shù)資料
型號(hào): M30302FAPFP
廠商: Renesas Technology Corp.
英文描述: SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
中文描述: 單片16位CMOS微機(jī)
文件頁數(shù): 30/57頁
文件大小: 583K
代理商: M30302FAPFP
M16C/30P Group
5. Electrical Characteristics
Rev.1.22
REJ03B0088-0122
Mar 30, 2007
Page 30 of 53
NOTES:
1.
Referenced to V
CC1
=V
CC2
=4.2 to 5.5V, V
SS
= 0V at T
opr
=
20 to 85
°
C /
40 to 85
°
C, f(XIN)=16MHz unless otherwise
specified.
With one timer operated using fC32.
This indicates the memory in which the program to be executed exists.
2.
3.
Table 5.10
Electrical Characteristics (2)
(1)
Symbol
Parameter
Measuring Condition
Standard
Typ.
Unit
Min.
Max.
I
CC
Power Supply Current
(V
CC1
=V
CC2
=4.0V to 5.5V)
In single-chip
mode, the output
pins are open and
other pins are V
SS
Mask ROM
f(XIN)=16MHz
No division
f(XIN)=16MHz,
No division
10
15
mA
One Time
Flash
Flash
Memory
One Time
Flash
Flash Memory
Program
Flash Memory
Erase
Mask ROM
10
18
mA
f(XIN)=16MHz,
No division
12
18
mA
f(XIN)=10MHz,
VCC1=5.0V
15
mA
f(XIN)=10MHz,
VCC1=5.0V
15
mA
f(XIN)=10MHz,
VCC1=5.0V
25
mA
f(XCIN)=32kHz
Low power dissipation
mode, ROM
(3)
f(XCIN)=32kHz
Low power dissipation
mode, RAM
(3)
f(XCIN)=32kHz
Low power dissipation
mode, Flash Memory
(3)
f(XCIN)=32kHz
Low power dissipation
mode, RAM
(3)
f(XCIN)=32kHz
Low power dissipation
mode, Flash Memory
(3)
f(XCIN)=32kHz
Wait mode
(2)
,
Oscillation capability High
f(XCIN)=32kHz
Wait mode
(2)
,
Oscillation capability Low
Stop mode
Topr =25
°
C
25
μ
A
One Time
Flash
25
μ
A
350
μ
A
Flash Memory
25
μ
A
420
μ
A
Mask ROM
One Time Flash
Flash Memory
7.5
μ
A
2.0
μ
A
0.8
3.0
μ
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M30620FCPFP SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
M306N0FGTFP Circular Connector; No. of Contacts:19; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:14; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Straight Plug; Insert Arrangement:14-19
M306N0MCT PTSE 19C 19#20 PIN PLUG 023
M30L0R7000T0 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R7000T0ZAQ 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory
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