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參數(shù)資料
| 型號： | M36DR432AD85ZA6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，頁閃存和4兆位的256Kb x16的SRAM，多個存儲產(chǎn)品 |
| 文件頁數(shù)： | 43/52頁 |
| 文件大小： | 834K |
| 代理商： | M36DR432AD85ZA6T |
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M36DR432AD, M36DR432BD
Table 25. SRAM Low V
DDS
Data Retention Characteristics
(1, 2)
Symbol
Parameter
Note: 1. All other Inputs V
IH
≤
V
DDS
– 0.2V or V
IL
≤
0.2V.
2. Sampled only. Not 100% tested.
Test Condition
Min
Typical
Max
Unit
I
DDDR
Supply Current (Data Retention)
V
DDS
= 1.0V, ES
≥
V
DDS
– 0.2V
no input may exceed V
DDS
+ 2V
0.5
10
μA
V
DR
Supply Voltage (Data Retention)
ES
≥
V
DDS
– 0.2V
1
2.2
V
t
CDR
Chip Disable to Data Retention
Time
ES
≥
V
DDS
– 0.2V
0
ns
t
R
Operation Recovery Time
t
RC
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| M36DR432B100ZA6C | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432A100ZA6C | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M36DR432B100ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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