參數(shù)資料
型號： M36W0R6050B1ZAQF
廠商： 意法半導體
英文描述： 64 Mbit (4 Mb 】16, Multiple Bank, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2 Mb 】16) PSRAM, multi-chip package
中文描述： 64兆位（4兆】16日，多銀行，突發(fā)）閃存和32兆位（2字節(jié)】16）移動存儲芯片，多芯片封裝
文件頁數(shù)： 17/22頁
文件大?。?/td> 159K
代理商： M36W0R6050B1ZAQF
M36W0R6050T1, M36W0R6050B1
DC and ac parameters
17/22
Figure 5.
AC measurement load circuit
Table 5.
1.
Sampled only, not 100% tested.
Please refer to the M58WR064HT/B and M69KB048BD datasheets for further dc and ac
characteristics values and illustrations.
Device capacitance
Symbol
Parameter
Test condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
12
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
15
pF
AI12058
V
DDQF
C
L
C
L
includes JIG capacitance
16.7k
DEVICE
UNDER
TEST
0.1μF
V
DDQF
16.7k
0.1μF
V
DDF
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PDF描述
M36W0R6050T1 64 Mbit (4 Mb 】16, Multiple Bank, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2 Mb 】16) PSRAM, multi-chip package
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