參數(shù)資料
型號(hào)： M52D128168A-10BG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-54
文件頁(yè)數(shù)： 45/47頁(yè)
文件大?。?/td> 1209K
代理商： M52D128168A-10BG
ES MT
Preliminary
M52D128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
45/47
PACKING DIMENSIONS
54-LEAD TSOP(II) SDRAM (400mil) (1:3)
Symbol
A
A1
A2
b
b1
c
c1
D
E
E1
L
L1
e
Θ
Dimension in mm
Min
Norm
0.05
0.10
0.95
1.00
0.25
0.25
0.35
0.12
0.10 0.127 0.16 0.004 0.005 0.006
22.22 BSC
11.76 BSC
10.16 BSC
0.40
0.50
0.60 0.016 0.020 0.024
0.80 REF
0.80 BSC
0
°
10
°
Dimension in inch
Min
Norm
0.15 0.002 0.004 0.006
1.05 0.037 0.039 0.041
0.45 0.010
0.40 0.010 0.014 0.016
0.21 0.005
0.008
Max
Max
1.20
0.047
0.018
0.875 BSC
0.463 BSC
0.400 BSC
0.031 REF
0.031 BSC
0
°
10
°
O
L
DETAIL "A"
SECTION B-B
B
B
0.10
-C-
D
E
E
1
e
PLANE
SEATING
1
L
1
27
28
54
A
2
A
-H-
b
DETAIL A
-C-
IDENTIFIER
-C-
SEE
b
b
c
c
1
1
0.665 REF
0.21 REF
A
1
PIN1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M52D128168A-10TG 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D128168A-7.5BG 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D128168A-7.5TG 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D16161A 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52D16161A-10BG 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
M52D128168A-10BIG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D128168A-10TG 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 1.8V 100MHZ TSOPII54
M52D128168A-10TIG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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M52D128168A-7.5BIG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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