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參數(shù)資料
| 型號： | M52D128168A-7.5TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 42/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 1209K |
| 代理商： | M52D128168A-7.5TG |
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ES MT
Preliminary
M52D128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
42/47
Active/Precharge Power Down Mode @ CAS Latency = 2, Burst Length = 4
*Note: 1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + t
SS
prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification. (64ms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52D16161A | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-10BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52D128168A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D128168A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A_09 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
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