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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M52S128168A-10TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 33/47頁 |
| 文件大小： | 1213K |
| 代理商： | M52S128168A-10TG |
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ES MT
Read & Write Cycle at Same Bank @ Burst Length = 4
Preliminary
M52S128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
33/47
*Note :
1. Minimum row cycle times is required to complete internal DRAM operation.
2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. [CAS Latency-1] number of valid output data is
available after Row precharge. Last valid output will be Hi-Z (t
SHZ
) after the clock.
3. Output will be Hi-Z after the end of burst. (1,2,4,8 & Full page bit burst)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S128168A-7.5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-7.5TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-10BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S128168A-7.5BG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 133MHZ FBGA54 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM, 128MB, 2.5V, 133MHZ, FBGA54 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:DRAM IC; Page Size:128MB; Memory Case Style:FBGA; No. of Pins:54; IC Interface Type:Parallel; Operating Temperature Min:0C; Operating Temperature Max:70C; Filter Terminals:Surface Mount; Frequency:133MHz; Interface Type:Parallel ;RoHS Compliant: Yes |
| M52S128168A-7.5TG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 133MHZ TSOPII54 |
| M52S128168A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128324A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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