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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M52S16161A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 770K |
| 代理商： | M52S16161A |
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ES MT
Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
M52S16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2007
Revision
:
1.5
18/29
*Note: 1.t
CDL
should be met to complete write.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S16161A-10BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-8BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-8TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S16161A_09 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52S16161A-10BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-8BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52S16161A-8TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
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