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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M52S32162A-10TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 787K |
| 代理商： | M52S32162A-10TG |
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ES MT
PACKING
54-BALL
M52S32162A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
1.2
29/30
DIMENSIONS
SDRAM ( 8x8 mm )
Symbol
A
A
1
A
2
Φ
b
D
E
D
1
E
1
e
Controlling dimension : Millimeter.
Dimension in mm
Min
Norm
0.20
0.25
0.61
0.66
0.30
0.35
7.90
8.00
7.90
8.00
6.40
6.40
0.80
Dimension in inch
Min
Norm
0.008
0.010
0.024
0.026
0.012
0.014
0.311
0.315
0.311
0.315
0.252
0.252
0.031
Max
1.00
0.30
0.71
0.40
8.10
8.10
Max
0.039
0.012
0.028
0.016
0.319
0.319
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S32162A-7.5BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32162A-7.5TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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| M541 | TO-220F 5A Triac |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S32162A-10TIG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 32MB 2.5V 100MHZ TSOPII54 |
| M52S32162A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52S32162A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52S32162A-7.5BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
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