- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359083 > M58LW128BZA (意法半導體) 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M58LW128BZA |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆位和8Mb x16或4Mb的X32號，統(tǒng)一座，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 39/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 932K |
| 代理商： | M58LW128BZA |
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39/65
M58LW128A, M58LW128B
Table 20. Asynchronous Write and Latch Controlled Write AC Characteristics, Write Enable
Controlled.
Symbol
Parameter
Test Condition
M58LW128
Unit
150
t
AVLH
Address Valid to Latch Enable High
Min
10
ns
t
AVWH
Address Valid to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
ns
t
DVWH
Data Input Valid to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
ns
t
ELWL
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
ns
t
ELLL
Chip Enable Low to Latch Enable Low
Min
0
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
Min
3
ns
t
LHGL
Latch Enable High to Output Enable Low
Min
35
ns
t
LHWH
Latch Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
t
LLLH
Latch Enable low to Latch Enable High
Min
10
ns
t
LLWH
Latch Enable Low to Write Enable High
Min
50
ns
t
VPHWH
Program/Erase Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
t
WHAX
Write Enable High to Address Transition
E = V
IL
Min
10
ns
t
WHBL
Write Enable High to Ready/Busy low
Max
90
ns
t
WHDX
Write Enable High to Input Transition
E = V
IL
Min
0
ns
t
WHEH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
20
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
35
ns
t
WHWL
Write Enable High to Write Enable Low
Min
30
ns
t
WLWH
Write Enable Low to Write Enable High
E = V
IL
Min
70
ns
t
WLLH
Write Enable Low to Latch Enable High
E = V
IL
Min
10
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW128B150N6E | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N6F | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N6T | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150ZA1E | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150ZA1F | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW128D110N1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128M (16MX8/8MX16) 3V, UNIFORM SECTOR, TSOP56, COM - Trays |
| M58LW64D | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58MR016C | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58MR016C120ZC6T | 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58MR016CZC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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