- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359083 > M58LW128BZA (意法半導(dǎo)體) 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M58LW128BZA |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆位和8Mb x16或4Mb的X32號，統(tǒng)一座，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 55/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 932K |
| 代理商： | M58LW128BZA |
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55/65
M58LW128A, M58LW128B
Table 32. Device Geometry Definition
Note: 1.
For M58LW128B, A1 = Don’t Care. N/A = Not Applicable.
2. DQ31-DQ16 are available in the M58LW128B only. They are in the high-impedance state when the device operates In x16 mode.
Table 33. Block Status Register
Note: 1. BA specifies the block address location, A23-A17.
Address
(1)
A23-A1 (M58LW128A)
DQ31-DQ16
(2)
DQ15-DQ0
Description
27h
0000
0018h
2
n
number of bytes memory Size
28h
N/A
0001h
Device Interface M58LW128A
0000
0004h
Device Interface M58LW128B
29h
0000
0000h
2Ah
0000
0005h
Maximum number of bytes in Write Buffer, 2
n
2Bh
0000
0000h
2Ch
0000
0001h
Bit7-0 = number of Erase Block Regions in device
2Dh
0000
007Fh
Number (n-1) of Erase Blocks of identical size; n=128
2Eh
0000
0000h
2Fh
0000
0000h
Erase Block Region Information
x 256 bytes per Erase block (128K bytes)
30h
0000
0002h
Address
A23-A1 (M58LW128A)
A23-A2 (M58LW128B)
Data
Selected Block Information
(BA+2)h
(1)
bit0
0
Block Unprotected
1
Block Protected
bit7-1
0
Reserved for future features
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW128B150N6E | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N6F | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N6T | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150ZA1E | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150ZA1F | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW128D110N1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128M (16MX8/8MX16) 3V, UNIFORM SECTOR, TSOP56, COM - Trays |
| M58LW64D | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58MR016C | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58MR016C120ZC6T | 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58MR016CZC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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