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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58WR032FB70ZB6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（含2Mb × 16，多銀行，突發(fā)）1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 73/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1306K |
| 代理商： | M58WR032FB70ZB6F |
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M58WR032FT, M58WR032FB
Figure 26. Block Erase Flowchart and Pseudo Code
Note: 1. If an error is found, the Status Register must be cleared before further Program/Erase operations.
2. Any address within the bank can be used also.
Write 20h (2)
AI06174b
Start
Write Block
Address & D0h
Read Status
Register (2)
YES
NO
SR7 = 1
YES
NO
SR3 = 0
YES
SR4, SR5 = 1
VPP Invalid
Error (1)
Command
Sequence Error (1)
NO
NO
SR5 = 0
Erase Error (1)
End
YES
NO
SR1 = 0
Erase to Protected
Block Error (1)
YES
erase_command ( blockToErase ) {
writeToFlash (blockToErase, 0x20) ;
/*see note (2) */
writeToFlash (blockToErase, 0xD0) ;
/* only A12-A20 are significannt */
/* Memory enters read status state after
the Erase Command */
} while (status_register.SR7== 0) ;
do {
status_register=readFlash (blockToErase) ;
/* see note (2) */
/* E or G must be toggled*/
if (status_register.SR3==1) /*VPP invalid error */
error_handler ( ) ;
if ( (status_register.SR4==1) && (status_register.SR5==1) )
/* command sequence error */
error_handler ( ) ;
if (status_register.SR1==1) /*program to protect block error */
error_handler ( ) ;
if ( (status_register.SR5==1) )
/* erase error */
error_handler ( ) ;
}
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| M58WR032FB70ZB6T | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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