參數(shù)資料
型號： M68AW512DZB
廠商： 意法半導體
英文描述： 8 Mbit 512K x16 3.0V Asynchronous SRAM
中文描述： 8兆位為512k x16 3.0V異步SRAM
文件頁數(shù)： 16/19頁
文件大?。?/td> 296K
代理商： M68AW512DZB
M68AW512M
16/19
PACKAGE MECHANICAL
Figure 14. TSOP44 Type II - 44 lead Plastic Thin Small Outline Type II, Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 10. TSOP 44 TypeII - 44 lead Plastic Thin Small Outline TypeII, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.050
0.150
0.0020
0.0059
A2
0.950
1.050
0.0374
0.0413
b
0.350
0.0138
c
0.120
0.210
0.0047
0.0083
D
18.410
–
–
0.7248
–
–
e
0.800
–
–
0.0315
–
–
E
11.760
–
–
0.4630
–
–
E1
10.160
–
–
0.4000
–
–
L
0.500
0.400
0.600
0.0197
0.0157
0.0236
ZD
0.805
–
–
0.0317
–
–
α
0°
5°
0°
5°
CP
0.100
0.0039
N
44
44
TSOP-d
N
1
CP
A
L
A1
α
N/2
D
e
b
E1
E
C
A2
ZD
相關PDF資料
PDF描述
M68AW512MN70ND1T 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW512MN70ND6T 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68HC12A4EVB Primarily as an Expanded Mode Microcontroller
M68HC12B Microcontrollers
M68HC705UGANG High-density complementary metal oxide semiconductor (HCMOS) microcontroller unit
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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M68AW512ML70ND6 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 WIRELESS FLASH RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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