參數(shù)資料
型號： M68AW512DZB
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 8 Mbit 512K x16 3.0V Asynchronous SRAM
中文描述： 8兆位為512k x16 3.0V異步SRAM
文件頁數(shù)： 4/19頁
文件大?。?/td> 296K
代理商： M68AW512DZB
M68AW512M
4/19
Figure 3. TSOP Connections
DQ5
DQ6
DQ7
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
A8
A9
DQ15
A10
A11
A17
A16
A15
A14
A13
A12
G
UB
A6
A7
A3
A2
DQ0
A4
A5
A1
A0
E
AI05836c
M68AW512M
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
2
3
4
5
6
7
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
20
21
19
18
W
A18
44
43
42
41
39
38
37
36
35
34
33
LB
40
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M68AW512MN70ND1T 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW512MN70ND6T 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68HC12A4EVB Primarily as an Expanded Mode Microcontroller
M68HC12B Microcontrollers
M68HC705UGANG High-density complementary metal oxide semiconductor (HCMOS) microcontroller unit
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M68AW512M 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW512ML55ND1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW512ML55ND6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW512ML70ND1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW512ML70ND6 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 WIRELESS FLASH RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*