- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄229297 > M93C06-WDS7 (STMICROELECTRONICS) 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M93C06-WDS7 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 3 X 3 MM, TSSOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 24/31頁 |
| 文件大小： | 533K |
| 代理商： | M93C06-WDS7 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁當前第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁
M93C86, M93C76, M93C66, M93C56, M93C46, M93C06
30/31
REVISION HISTORY
Table 31. Document Revision History
Date
Rev.
Description of Revision
04-Feb-2003
2.0
Document reformatted, and reworded, using the new template. Temperature range 1 removed.
TSSOP8 (3x3mm) package added. New products, identified by the process letter W, added,
with fc(max) increased to 1MHz for -R voltage range, and to 2MHz for all other ranges (and
corresponding parameters adjusted)
26-Mar-2003
2.1
Value of standby current (max) corrected in DC characteristics tables for -W and -R ranges
VOUT and VIN separated from VIO in the Absolute Maximum Ratings table
04-Apr-2003
2.2
Values corrected in AC characteristics tables for -W range (tSLSH, tDVCH, tCLSL) for devices
with Process Identification Letter W
23-May-2003
2.3
Standby current corrected for -R range
27-May-2003
2.4
Turned die option re-instated in Ordering Information Scheme
25-Nov-2003
3.0
Table of contents, and Pb-free options added. Temperature range 7 added. VIL(min) improved
to –0.45V.
30-Mar-2004
4.0
MLP package added. Absolute Maximum Ratings for VIO(min) and VCC(min) changed.
Soldering temperature information clarified for RoHS compliant devices. Device grade
information clarified. Process identification letter “G” information added
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT2VDDT832UY-75XX | 8M X 32 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA100 |
| MB84VD22183EA-85PBS | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA71 |
| MB84VD22184EA-90PBS | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA71 |
| M93C66-WMB3TP | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MT48LC4M16A2P-75:G | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M93C06-WMN6 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256 (32x8 or 16x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M93C06-WMN6T | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256 (32x8 or 16x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M93C46 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit, 1Kbit and 256bit 8-bit or 16-bit wide |
| M93C46_11 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE?? serial access EEPROM |
| M93C46-ATMN6 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 1K (64x8 or 32x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。