參數(shù)資料
型號(hào)： MAT01
廠商： Analog Devices, Inc.
英文描述： Matched Monolithic Dual Transistor
中文描述： 匹配單片雙晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 119K
代理商： MAT01
REV. A
–2–
MAT01–SPECIFICATIONS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(@ V
CB
= 15 V, I
C
= 10
m
A, T
A
= 25
8
C, unless otherwise noted.)
MAT01AH
Min
MAT01GH
Min
Parameter
Symbol
Conditions
Typ
Max
Typ
Min
Units
Breakdown Voltage
Offset Voltage
Offset Voltage Stability
First Month
Long Term
Offset Current
Bias Current
Current Gain
BV
CEO
V
OS
I
C
= 100
μ
A
45
45
V
mV
0.04
0.1
0.10
0.5
V
OS
/Time
(Note 1)
(Note 2)
2.0
0.2
0.1
13
590
770
840
0.7
0.8
2.0
0.2
0.2
18
430
560
610
1.0
1.2
μ
V/Mo
μ
V/Mo
nA
nA
I
OS
I
B
h
FE
0.6
20
3.2
40
I
C
= 10 nA
I
C
= 10
μ
A
I
C
= 10 mA
I
C
= 10
μ
A
100 nA
≤
I
C
≤
10 mA
500
250
Current Gain Match
h
FE
3.0
8.0
%
%
Low Frequency Noise
Voltage
Broadband Noise
Voltage
Noise Voltage
Density
e
n
p-p
0.1 Hz to 10 Hz
3
0.23
0.4
0.23
0.4
μ
V p-p
e
n
rms
1 Hz to 10 kHz
0.60
0.60
μ
V rms
e
n
f
O
= 10 Hz
3
f
O
= 100 Hz
3
f
O
= 1000 Hz
3
0
≤
V
CB
≤
30 V
0
≤
V
CB
≤
30 V
7.0
6.1
6.0
0.5
2
9.0
7.6
7.5
3.0
15
7.0
6.1
6.0
0.8
3
9.0
7.6
7.5
8.0
70
nV/
√
Hz
nV/
√
Hz
nV/
√
Hz
μ
V/V
pA/V
Offset Voltage Change
Offset Current Change
Collector-Base
Leakage Current
Collector-Emitter
Leakage Current
Collector-Collector
Leakage Current
Collector Saturation
Voltage
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-Collector
Capacitance
V
OS/
V
CB
I
OS/
V
CB
I
CBO
V
CB
= 30 V, I
E
= 0
4
15
50
25
200
pA
I
CES
V
CE
= 30 V, V
BE
= 0
4, 5
50
200
90
400
pA
I
CC
V
CE(SAT)
V
CC
= 30 V
5
I
B
= 0.1 mA, I
C
= 1 mA
I
B
= 1 mA, I
C
= 10 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
20
0.12
0.8
450
2.8
200
0.20
30
0.12
0.8
450
2.8
400
0.25
pA
V
V
MHz
pF
f
T
C
OB
C
CC
V
CC
= 0
8.5
8.5
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MAT01AH
Min
MAT01GH
Min
Parameter
Symbol
Conditions
Typ
Max
Typ
Min
Units
Offset Voltage
Average Offset
Voltage Drift
Offset Current
Average Offset
Current Drift
Bias Current
Current Gain
Collector-Base
Leakage Current
Collector-Emitter
Leakage Current
Collector-Collector
Leakage Current
V
OS
0.06
0.15
0.14
0.70
mV
TCV
OS
I
OS
(Note 6)
0.15
0.9
0.50
8.0
0.35
1.5
1.8
15.0
μ
V/
°
C
nA
TCI
OS
Ι
Β
h
FE
I
CBO
(Note 7)
10
28
400
90
60
15
36
300
150
130
pA/
°
C
nA
167
77
T
A
= 125
°
C, V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
4
T
A
= 125
°
C, V
CE
= 30 V,
V
BE
= 0
4, 6
T
A
= 125
°
C, V
CC
= 30 V,
(Note 6)
15
80
25
200
nA
I
CES
50
300
90
400
nA
I
CC
30
200
50
400
nA
(@ V
CB
= 15 V, I
C
= 10
m
A, –55
8
C
≤
T
A
≤
+125
8
C, unless otherwise noted.)
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PDF描述
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MAT01AHZ 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO-78 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
MAT01GH 功能描述:IC TX MATCHED MONO DUAL TO-78-6 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
MAT01GH/883C 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MAT01GHZ 功能描述:TRANS MATCHED MONO DUAL TO-78-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
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