參數(shù)資料
型號(hào)： MAT01
廠商： Analog Devices, Inc.
英文描述： Matched Monolithic Dual Transistor
中文描述： 匹配單片雙晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 119K
代理商： MAT01
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MAT01N
Typical
Parameter
Symbol
Conditions
Units
Average Offset Voltage Drift
Average Offset Current Drift
Collector-Emitter-Leakage
Current
Collector-Base-Leakage
Current
Gain Bandwidth Product
Offset Voltage Stability
TCV
OS
TCI
OS
0.35
15
μ
V/
°
C
pA/
°
C
I
CES
V
CE
= 30 V, V
BE
= 0
90
pA
I
CBO
f
T
V
OS
/T
V
CB
= 30 V, I
E
= 0
V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
First Month (Note 1)
Long-Term (Note 2)
25
450
2.0
0.2
pA
MHz
μ
V/Mo
μ
V/Mo
(@ V
CB
= 15 V and I
C
= 10
m
A, T
A
= +25
8
C, unless otherwise noted.)
NOTES
1
Exclude first hour of operation to allow for stabilization.
2
Parameter describes long-term average drift after first month of operation.
3
Sample tested.
4
The collector-base (I
CBO
) and collector-emitter (I
CES
)
leakage currents may be
reduced by a factor of two to ten times by connecting the substrate (package) to
a potential which is lower than either collector voltage.
5
I
CC
and I
CES
are guaranteed by measurement of I
CBO
.
V
OS
T
7
Guaranteed by I
OS
test limits over temperature.
Specifications subject to change without notice.
6
Guaranteed by V
OS
test
(TCV
OS
for
V
OS
!
V
BE
) T = 298
°
K
for T
A
= 25
°
C.
MAT01
–3–
REV. A
WAFER TEST LIMITS
MAT01N
Limits
Parameter
Symbol
Conditions
Units
Breakdown Voltage
Offset Voltage
Offset Current
Bias Current
Current Gain
Current Gain Match
Offset Voltage Change
Offset Current Change
Collector Saturation Voltage
BV
CEO
V
OS
I
OS
I
B
h
FE
h
FE
V
OS
/
V
CB
V
OS
/
V
CB
V
CE (SAT)
I
C
= 100
μ
A
45
0.5
3.2
40
250
8.0
8.0
70
0.25
V min
mV max
nA max
nA max
min
% max
μ
V/V max
pA/V max
V max
0
≤
V
CB
≤
30 V
0
≤
V
CB
≤
30 V
I
B
= 0.1 mA, I
C
= 1 mA
NOTE
Electrical tests are performed at wafer probe to the limits shown. Due to variations in assembly methods and normal yield loss, yield after packaging is not
guaranteed for standard product dice. Consult factory to negotiate specifications based on dice lot qualification through sample lot assembly and testing.
(@ V
CB
= 15 V, I
C
= 10
m
A, T
A
= +25
8
C, unless otherwise noted.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MAT01AH Matched Monolithic Dual Transistor
MAT01GH Matched Monolithic Dual Transistor
MAT01N Matched Monolithic Dual Transistor
MAT02 Low Noise, Matched Dual Monolithic Transistor
MAT02AH Low Noise, Matched Dual Monolithic Transistor
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參數(shù)描述
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MAT01AHZ 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO-78 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
MAT01GH 功能描述:IC TX MATCHED MONO DUAL TO-78-6 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
MAT01GH/883C 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MAT01GHZ 功能描述:TRANS MATCHED MONO DUAL TO-78-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
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