參數(shù)資料
型號: MAT01
廠商: Analog Devices, Inc.
英文描述: Matched Monolithic Dual Transistor
中文描述: 匹配單片雙晶體管
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 119K
代理商: MAT01
MAT01
–5–
REV. A
Figure 1. Offset Voltage
vs. Temperature
Figure 2. Current Gain
vs. Collector Current
Figure 3. Noise Voltage
Figure 7. Base-Emitter Voltage
vs. Collector Current
Figure 8. Saturation Voltage
vs. Collector Current
Figure 9. Gain-Bandwidth
vs. Collector Current
Figure 4. Offset Voltage vs. Time
Figure 5. Current Gain
vs. Temperature
Figure 6. Noise Current Density
相關PDF資料
PDF描述
MAT01AH Matched Monolithic Dual Transistor
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MAT02 Low Noise, Matched Dual Monolithic Transistor
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MAT01AH 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO78-6 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大):- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
MAT01AHZ 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO-78 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大):- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
MAT01GH 功能描述:IC TX MATCHED MONO DUAL TO-78-6 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大):- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
MAT01GH/883C 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MAT01GHZ 功能描述:TRANS MATCHED MONO DUAL TO-78-6 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大):- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402