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參數(shù)資料
| 型號： | MB811171622A-67 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2×512K×16 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×512K×16 位同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS為512k × 2 × 16位同步動態(tài)隨機存儲器（2 ×的CMOS為512k × 16位同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 16/43頁 |
| 文件大小： | 601K |
| 代理商： | MB811171622A-67 |
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16
MB811171622A-125/-100/-84/-67
MINIMUM CLOCK LATENCY OR DELAY TIME FOR 2 BANK OPERATION
Notes:
*1.
Assume opposite bank is in idle state.
Assume opposite bank is in active state.
Assume no I/O conflict.
If t
RP
≤
t
CK
, minimum latency is a sum of BL + CL.
Assume PALL command dose not affect any operation on opposite bank.
Assume Output is in High-Z sate.
Assume t
RAS
of opposite bank is satisfied.
*2.
*3.
*4.
*5.
*6.
*7.
Illegal Command
Second
command
(opposite
bank)
First
command
MRS
l
MRD
l
MRD
l
MRD
l
MRD
ACTV
*1
t
RRD
*2
1
*2
1
*2
1
*2
1
*7
1
t
RAS
READ
*1
1
*2
1
*2
1
*2
*3
1
*2
*3
1
*7
1
t
RAS
READA
*1
1
1
*1
*4
BL +
t
RP
*1
*4
BL +
t
RP
WRIT
*1
1
*2
1
*2
1
*2
1
*2
1
*7
1
t
RAS
WRITA
*1
1
1
*1
BL + 1
+ t
RP
*1
BL + 1
+ t
RP
PRE
*1
t
RP
*1
1
*2
1
*2
1
*2
1
*2
1
1
t
RAS
*1
t
RP
*1
t
RP
*5
PALL
t
RP
*1
t
RP
1
1
*1
*6
t
RP
*1
*6
t
RP
REF
t
RC
t
RC
t
RC
t
RC
SELF
t
RC
t
RC
t
RC
t
RC
M
A
R
R
W
W
P
P
R
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB811171622A-84 | CMOS 2×512K×16 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×512K×16 位同步動態(tài)RAM) |
| MB81117422A-100 | CMOS 2×2M ×4 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×2M ×4 位同步動態(tài)RAM) |
| MB81117422A-125 | CMOS 2×2M ×4 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×2M ×4 位同步動態(tài)RAM) |
| MB81117422A-67 | CMOS 2×2M ×4 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×2M ×4 位同步動態(tài)RAM) |
| MB81117422A-84 | CMOS 2×2M ×4 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×2M ×4 位同步動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MB8117800A-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2 M X 8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM |
| MB812 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標準包裝:1 系列:* |
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