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參數(shù)資料
| 型號： | MB811171622A-67 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2×512K×16 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×512K×16 位同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS為512k × 2 × 16位同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（2 ×的CMOS為512k × 16位同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 41/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 601K |
| 代理商： | MB811171622A-67 |
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MB811171622A-125/-100/-84/-67
TIMING DIAGRAM – 16 : SELF-REFRESH ENTRY AND EXIT TIMING
t
RC
(min)
t
PDE
(min)
CLK
CKE
Command
NOP
Notes:
1.
Precharge command (PRE or PALL) should be asserted if any bank is active prior to Self-refresh Entry command (SELF).
The Self-refresh Exit command (SELFX) is latched after t
PDE
(min). It is recommended to apply NOP command in
conjunction with CKE.
Either NOP or DESL command can be used during t
RC
period.
CKE should be held High within one t
RC
period after t
PDE
.
2.
3.
4.
SELF
Don’t Care
SELFX
Command
NOP
2
NOP
3
1
t
SI
(min)
TIMING DIAGRAM – 17 : MODE REGISTER SET TIMING
CLK
Command
Address
MRS
NOP or DESL
Mode
Row Adress
ACTV
Note:
The Mode Register Set command (MRS) should be only asserted after all banks have been precharged.
I
MRD
(min 2 clocks)
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PDF描述 |
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