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參數(shù)資料
| 型號： | MB8117400B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位快速頁面模式動態(tài)RAM（的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式的RAM） |
| 文件頁數(shù)： | 18/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 473K |
| 代理商： | MB8117400B-60 |
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18
MB8117400B-50/-60
Fig. 9 – FAST PAGE MODE READ CYCLE
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H
→
L” or “L
→
H” transition (Address and DQ)
DESCRIPTION
The fast page mode of operation permits faster successive memory operations at multiple column locations of the same row address.
This operation is performed by strobing in the row address and maintaining RAS at a Low level and WE at a High level during all
successive memory cycles in which the row address is latched. The access time is determined by t
CAC
, t
AA
, t
CPA
, or t
OEA
, whichever one
is the latest in occurring.
Valid Data
COL
ADD
ROW
ADD
COL
ADD
COL
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
t
DZC
t
RASP
t
RHCP
t
RSH
t
PC
t
CSH
t
CP
t
CAS
t
CRP
t
RCD
t
ASR
t
RAD
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
CAH
t
RCS
t
RCH
t
RCS
t
RCH
t
DZC
t
OH
t
OFF
t
OH
t
OEL
t
CPA
t
RAL
t
AR
t
ASC
t
RP
t
CAS
t
RRH
t
RCH
t
RCS
t
DZC
t
DZO
t
DZO
t
CAC
t
ON
t
DZO
t
RAC
t
CAC
t
ON
t
OFF
t
AA
t
AA
t
OEA
t
OEZ
t
OEA
t
OEZ
t
OED
t
OED
RAS
A
0
to A
10
CAS
WE
OE
V
OH
DQ
(Input)
DQ
(Output) V
OL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
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參數(shù)描述 |
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