參數(shù)資料
型號： MB814400A-80
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 4米× 1位快速頁面模式的DRAM的CMOS（4分× 1位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 12/27頁
文件大?。?/td> 347K
代理商： MB814400A-80
12
MB814400A-60/MB814400A-70/MB814400A-80
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE (OE = “H” or “L”)
RAS
A
0
to A
9
CAS
WE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
“H” or “L”
ROW
ADD
VALID
DATA IN
COLUMN
ADD
HIGH-Z
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is a “H” or “L” signal. A write cycle can be implemented
in either or three ways - early write, OE write (delayed write), or read-modify-write. During all write cycles, timing parameters t
RWL
, t
CWL
and t
RAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ pin is latched with the falling edge of CAS
and written into memory.
DQ
(Input)
DQ
(Output)
t
RC
t
RAS
t
CSH
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
RCD
t
CRP
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
CAL
t
RAL
t
WCS
t
WCH
t
DH
t
DS
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PDF描述
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MB814400D-70 CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1位速頁面存取模式動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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