參數(shù)資料
型號(hào)： MB81V17800A-70
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 2 M ×8 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 2 M ×8 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 2米× 8位快速頁面模式的DRAM的CMOS（2米× 8位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 15/25頁
文件大小： 520K
代理商： MB81V17800A-70
15
MB81V17800A-60/60L/-70/70L
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADD
DESCRIPTION
The fast page mode of operation permits faster successive memory operations at multiple column locations of the same row address.
This operation is performed by strobing in the row address and maintaining RAS at a Low level and WE at a High level during all
successive memory cycles in which the row address is latched. The address time is determined by t
CAC
, t
AA
, t
CPA
, or t
OEA
, whichever
one is the lastest in occuring.
RAS
CAS
WE
V
IH
V
IL
DQ
(Output)
V
OH
V
OL
Fig. 9 – FAST PAGE MODE READ CYCLE
t
RASP
t
RHCP
t
RCD
t
RP
t
RSH
t
CRP
t
RAD
t
CAS
t
CSH
t
CP
t
CAS
t
RAH
t
CAH
t
ASC
t
ASC
t
CAH
t
CAH
t
RRH
t
ASC
t
RAL
t
RCS
t
RCH
t
RCS
t
RCH
t
CDD
t
RCS
t
RCH
t
ON
t
RAC
t
AA
t
OFF
t
CAC
t
DZC
t
AA
t
OH
t
OH
t
CAC
t
OFF
t
DZC
t
CPA
t
OEL
t
DZC
t
DZO
t
ON
t
DZO
t
OEZ
t
OEA
t
OEZ
t
OEA
t
OED
t
OED
DQ
(Input)
OE
V
IH
V
IL
COL
ADD
Valid Data
t
ASR
A
0
to A
10
V
IH
V
IL
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
t
PC
t
CAS
t
DZO
t
OH
HIGH-Z
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
COLUMN
ADDRESS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB81V17800A-70L CMOS 2 M ×8 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 2 M ×8 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V17805A-60 CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V17805A-60L CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V17805A-70 CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V17805A-70L CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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