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參數(shù)資料
| 型號： | MB81V17800A-70L |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2 M ×8 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 2 M ×8 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 2米× 8位快速頁面模式的DRAM的CMOS（2米× 8位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 16/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 520K |
| 代理商： | MB81V17800A-70L |
16
MB81V17800A-60/60L/-70/70L
DESCRIPTION
The fast page mode early write cycle is executed in the same manner as the fast page mode read cycle except the states of WE and
OE are reversed. Data appearing on the DQ pins is latched on the falling edge of CAS and written into memory. During the fast
page mode early write cycle, including the delayed (OE) write and read-modify-write cycles, t
CWL
must be satisfied.
Fig. 10 – FAST PAGE MODE EARLY WRITE CYCLE (OE = “H” or “L”)
t
CAS
t
PC
t
CSH
t
RASP
t
CAS
t
CP
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
RCD
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
ASC
t
CAH
t
ASC
COL
ADD
ROW
ADD
COL
ADD
COL
ADD
t
WCS
t
WCH
t
WCS
t
WCH
t
WCR
t
WCH
t
WCS
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
t
DHR
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
RAS
V
IH
V
IL
CAS
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
t
RAH
t
ASR
t
CRP
A
0
to A
10
V
IH
V
IL
DQ
(Output)
V
OH
V
OL
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
HIGH-Z
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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