參數(shù)資料
型號： MB81V18160A-70
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 1M ×16 BIT Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 100萬× 16位快速頁面模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 14/25頁
文件大?。?/td> 579K
代理商： MB81V18160A-70
14
MB81V18160A-60/60L/-70/70L
Fig. 8 – READ-MODIFY-WRITE-CYCLE
DESCRIPTION
The read-modify-write cycle is executed by changing WE from High to Low after the data appears on the DQ pins. In the read-modify-
write cycle, OE must be changed from Low to High after the memory access time.
RAS
A
0
to A
9
t
RWC
WE
DQ
(Input)
OE
t
RAS
t
RCD
t
ASR
t
CAH
t
RWL
t
RCS
DQ
(Output)
t
RP
t
ASC
t
RAH
t
CWL
t
DS
t
DH
t
OED
t
DZO
t
OEH
ROW
ADD
COL
ADD
t
RAD
t
CWD
VALID
t
OEZ
t
OH
LCAS
or
UCAS
t
RWD
t
AWD
t
DZC
HIGH-Z
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
ON
t
ON
t
OEA
HIGH-Z
HIGH-Z
VALID
DATA IN
t
AR
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
t
WP
t
CRP
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
相關PDF資料
PDF描述
MB81V18160A-70L CMOS 1M ×16 BIT Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165A-70 CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165A-70L CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165B-50 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165B-60 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MB820 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標準包裝:1 系列:*
MB-8210 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk
MB82101BAN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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