參數(shù)資料
型號： MB81V18165A-70
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 100萬× 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 10/30頁
文件大?。?/td> 681K
代理商： MB81V18165A-70
10
MB81V18165A-60/60L/-70/70L
(Continued)
No.
Parameter
Notes
Symbol
MB81V18165A-60/60L
Min.
15
—
MB81V18165A-70/70L
Min.
17
—
Unit
Max.
—
100000
Max.
—
100000
61
62
WE to Data In Delay Time
Hyper Page Mode RAS Pulse Width
Hyper Page Mode Read/Write Cycle
Time
Hyper Page Mode Read-Modify-Write
Cycle Time
Access Time from CAS
Precharge
Hyper Page Mode CAS Precharge
Time
Hyper Page Mode RAS Hold Time from
CAS Precharge
Hyper Page Mode CAS
Precharge to WE Delay Time
t
WED
t
RASP
ns
ns
63
t
HPC
25
—
30
—
ns
64
t
HPRWC
69
—
79
—
ns
65
*9,18
t
CPA
—
35
—
40
ns
66
t
CP
10
—
10
—
ns
67
t
RHCP
35
—
40
—
ns
68
*20
t
CPWD
52
—
59
—
ns
相關PDF資料
PDF描述
MB81V18165A-70L CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165B-50 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165B-60 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V4100C-60 CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V4100C-70 CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MB82 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 8A 200V BR-6 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 橋式整流器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 14/Mar/2011 標準包裝:1,500 系列:- 電壓 - 峰值反向(最大):1000V 電流 - DC 正向(If):1.5A 二極管類型:單相 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD 包裝:帶卷 (TR) 供應商設備封裝:4-SDIP
MB820 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標準包裝:1 系列:*
MB-8210 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk
MB82101BAN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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