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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB81V18165B-50 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1米× 16位的超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（1米× 16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 583K |
| 代理商： | MB81V18165B-50 |
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8
MB81V18165B-50/-60
I
AC CHARACTERISTICS
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Notes 3, 4, 5
(Continued)
No.
Parameter
Notes
Symbol
MB81V18165B-50
Min.
—
84
114
—
—
—
3
3
0
—
MB81V18165B-60
Min.
—
104
138
—
—
—
3
3
0
—
Unit
Max.
16.4
—
—
50
13
25
—
—
—
13
Max.
16.4
—
—
60
15
30
—
—
—
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Time Between Refresh
Random Read/Write Cycle Time
Read-Modify-Write Cycle Time
Access Time from RAS
Access Time from CAS
Column Address Access Time
Output Hold Time
Output Hold Time from CAS
Output Buffer Turn On Delay Time
Output Buffer Turn Off Delay Time
Output Buffer Turn Off Delay Time
from RAS
Output Buffer Turn Off Delay Time
from WE
Transition Time
RAS Precharge Time
RAS Pulse Width
RAS Hold Time
CAS to RAS Precharge Time
RAS to CAS Delay Time
CAS Pulse Width
CAS Hold Time
CAS Precharge Time (Normal)
Row Address Set Up Time
Row Address Hold Time
Column Address Set Up Time
Column Address Hold Time
Column Address Hold Time from
RAS
RAS to Column Address Delay
Time
Column Address to RAS Lead Time
Column Address to CAS Lead Time
Read Command Set Up Time
Read Command Hold Time
Referenced to RAS
t
REF
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OH
t
OHC
t
ON
t
OFF
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*6,9
*7,9
*8,9
*10
11
*10
t
OFR
—
13
—
15
ns
12
*10
t
WEZ
—
13
—
15
ns
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CRP
t
RCD
t
CAS
t
CSH
t
CPN
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
1
50
—
1
50
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
50
13
5
11
7
38
7
0
7
0
7
40
60
15
5
14
10
40
10
0
10
0
10
100000
—
—
37
—
—
—
—
—
—
—
100000
—
—
45
—
—
—
—
—
—
—
*21
*11,12,22
*19
26
t
AR
18
—
24
—
ns
27
*13
t
RAD
9
25
12
30
ns
28
29
30
t
RAL
t
CAL
t
RCS
25
18
0
—
—
—
30
23
0
—
—
—
ns
ns
ns
31
*14
t
RRH
0
—
0
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB81V18165B-60 | 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB81V4100C-60 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB81V4100C-70 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB81V4260S-60 | CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB81V4260S-70 | CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB82 | 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 8A 200V BR-6 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 橋式整流器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 14/Mar/2011 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:- 電壓 - 峰值反向(最大):1000V 電流 - DC 正向(If):1.5A 二極管類(lèi)型:單相 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD 包裝:帶卷 (TR) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-SDIP |
| MB820 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類(lèi)別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
| MB-8210 | 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk |
| MB82101BAN | 制造商:MURATA 制造商全稱(chēng):Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
| MB82101BBN | 制造商:MURATA 制造商全稱(chēng):Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
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