參數(shù)資料
型號(hào): MB81V4260S-70
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 256K × 16位快速頁(yè)面模式的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(的CMOS 256K × 16位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存)
文件頁(yè)數(shù): 19/28頁(yè)
文件大?。?/td> 360K
代理商: MB81V4260S-70
19
MB81V4260S-60/MB81V4260S-70
“H” or “L”
Invalid Data
Fig. 11 – FAST PAGE MODE OE WRITE CYCLE
DESCRIPTION
The fast page mode OE (delayed) write cycle is executed in the same manner as the fast page mode write cycle except for the states
of WE and OE. Input data on the DQ pins are latched on the falling edge of WE and written into memory. In the fast page mode
delayed write cycle, OE must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
DQ
(Input)
DQ
(Output)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
A
0
to A
8
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
OE
LCAS
or
UCAS
t
RCS
COL
ADD
ROW
ADD.
COL
ADD
VALID
VALID
VALID
HIGH-Z
t
DZO
COL
ADD
t
RASP
t
RAD
t
CRP
t
RCD
t
CSH
t
CAS
t
CP
t
PC
t
CAS
t
RP
t
CAS
t
RSH
t
CAH
t
ASC
t
RAL
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
RAH
t
ASC
t
CAL
t
WP
t
RWL
t
WCR
t
CWL
t
WCH
t
WP
t
WP
t
AR
t
CWL
t
CWL
t
WCH
t
WCH
t
DS
t
DH
t
DHR
t
DZC
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
AA
t
OEA
t
OEH
t
OEA
t
CAC
t
RAC
t
OED
t
AA
t
CAC
t
AA
t
OED
t
CAC
t
OEH
t
OEH
t
OED
t
OEA
t
OEZ
t
OEZ
t
OEZ
t
ASR
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PDF描述
MB81V4265-60 CMOS 256K ×16BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265-70 CMOS 256K ×16BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265S-60 CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265S-60L CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265S-70L CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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