參數(shù)資料
型號: MB81V4400C-70
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁模式動態(tài)RAM)
中文描述: 100萬的CMOS × 4位快速頁面模式動態(tài)RAM的CMOS(100萬× 4位快速頁模式動態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 16/26頁
文件大?。?/td> 302K
代理商: MB81V4400C-70
16
MB81V4400C-60/MB81V4400C-70
HIGH-Z
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
COL
ADD
ROW
ADD
COL
ADD
COL
ADD
Fig. 10 – FAST PAGE MODE WRITE CYCLE (OE=“H” or “L”)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
CAS
WE
DQ
(Output)
A
0
to A
9
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
t
RASP
t
RHCP
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
CAS
t
PC
t
CP
t
CSH
t
CRP
t
WCH
t
RAH
t
ASR
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
RCD
t
RAD
t
WCS
t
CAL
t
CAH
t
RAL
t
CAS
t
WCH
t
CWL
t
CWL
t
WCS
t
WCS
t
CWL
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
WP
t
DH
t
DS
t
WP
“H” or “L”
DESCRIPTION
The fast page mode write cycle is executed in the same manner as the fast page mode read cycle except the states of WE and OE
are reversed. Data appearing on the DQ pins is latched on the falling edge of CAS and written into memory. During the fast page
mode write cycle, including the delayed (OE) write and read-modify-write cycles, t
CWL
must be satisfied.
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PDF描述
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