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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB81V4405C-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 100萬(wàn)× 4位超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（100萬(wàn)× 4位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 348K |
| 代理商： | MB81V4405C-70 |
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14
MB81V4405C-60/MB81V4405C-70
t
WCS
t
CAH
t
ASC
t
RAH
t
ASR
t
CRP
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CAS
WE
DQ
(Input)
A
0
to A
9
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is a “H” or “L” signal. A write cycle can be
implemented in either of three ways–early write, delayed write, or read-modify-write. During all write cycles, timing param-
eters t
RWL
, t
CWL
, t
RAL
and t
CAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ pins are
latched with the falling edge of CAS and written into memory.
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CSH
t
RCD
t
CAS
HIGH-Z
“H” or “L”
ROW ADD
COLUMN ADD
t
WCR
t
WCH
t
DH
t
DS
VALID DATA IN
t
RSH
t
AR
t
DHR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB82 | 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 8A 200V BR-6 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 橋式整流器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 14/Mar/2011 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:- 電壓 - 峰值反向(最大):1000V 電流 - DC 正向(If):1.5A 二極管類型:單相 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD 包裝:帶卷 (TR) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-SDIP |
| MB820 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
| MB-8210 | 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk |
| MB82101BAN | 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
| MB82101BBN | 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
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