參數(shù)資料
型號(hào)： MB81V4800S-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 512K×8 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 512K×8位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS為512k × 8位快速頁(yè)面模式的DRAM（的CMOS為512k × 8位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 11/26頁(yè)
文件大?。?/td> 328K
代理商： MB81V4800S-60
11
MB81V4800S-60/MB81V4800S-70
t
CAH
Fig. 5 – READ CYCLE
DESCRIPTION
To implement a read operation, a valid address is latched in by the RAS and CAS address strobes and with WE set to a High level
and OE set to a low level, the output is valid once the memory access time has elapsed. The access time is determined by RAS(t
RAC
),
CAS (t
CAC
), OE (t
OEA
) or column addresses (t
AA
) under the following conditions:
If t
RCD
> t
RCD
(max.), access time = t
CAC
.
If t
RAD
> t
RAD
(max.), access time = t
AA
.
If OE is brought Low after t
RAC
, t
CAC
, or t
AA
(which ever occurs later), access time = t
OEA
.
However, if either CAS or OE goes High, the output returns to a high-impedance state after t
OH
is satisfied.
“H” or
ROW ADD
VALID
DATA
HIGH-Z
t
DZC
HIGH-Z
COLUMN ADD
t
CRP
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RCD
t
CSH
t
RSH
t
CAS
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
CAS
WE
DQ
(Output)
A
0
to A
9
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
OE
t
CDD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
RAD
t
RAL
t
CAL
t
OEL
t
RCH
t
RRH
t
RCS
t
OH
t
OFF
t
AA
t
CAC
t
RAC
t
AR
t
DZO
t
ON
t
OED
t
OH
t
ON
t
OEZ
t
OEA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB81V4800S-70 CMOS 512K×8 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 512K×8位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB8431-12L 2K x 8 Bits CMOS Dual-Port Static Random Access
MB8431 2K x 8 Bits CMOS Dual-Port Static Random Access
MB8431-12 2K x 8 Bits CMOS Dual-Port Static Random Access
MB8432-90LL 2K x 8 Bits CMOS Dual-Port Static Random Access
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MB820 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類(lèi)別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:*
MB-8210 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk
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MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱(chēng):Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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