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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29DL162BD-70PFTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 16/74頁 |
| 文件大?。?/td> | 1170K |
| 代理商： | MBM29DL162BD-70PFTN |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁當(dāng)前第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁
MBM29DL16XTD/BD-70/90
23
Sector Group Address Table (MBM29DL16XTD)
(Top Boot Block)
Sector Group
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
Sectors
SGA0
00000
X
SA0
SGA1
00001
X
SA1 to SA3
00010
X
00011
X
SGA2
0
1
X
XXXX
SA4 to SA7
SGA3
0
1
0
X
SA8 to SA11
SGA4
0
1
X
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SGA5
1
0
X
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SGA6
1
0
1
X
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SGA7
1
0
X
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SGA8
11100
X
SA28 to SA30
11101
X
11110
X
SGA9
11111000
SA31
SGA10
1
1111001
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SGA11
1
1111010
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SGA12
1
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SA34
SGA13
1
1111100
SA35
SGA14
1
1111101
SA36
SGA15
1
1111110
SA37
SGA16
1
1111111
SA38
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV008B-10PFTR | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO40 |
| MBR16100CT | 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR20100WT | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
| MBR30100PTP | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247 |
| MBR3020WT-G | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29DL162BD-70PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162BD-90PBT | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162BD-90PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162BD-90PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162BE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
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