- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377942 > MBM29F002B (Fujitsu Limited) 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F002B |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 200萬（256K × 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓256K × 8位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 27/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 591K |
| 代理商： | MBM29F002B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁當前第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁
27
MBM29F002T/002B/002ST/002SB
-70/-90/-12
Write/Erase/Program Operations
Alternate WE Controlled Writes
Notes:
1. This does not include the preprogramming time.
2. Applicable to sector protection function.
Parameter Symbols
Description
–70
–90
–12
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
70
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
30
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
35
45
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
20
20
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
8
8
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
1
1
sec
Max.
15
15
15
sec
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
50
50
μ
s
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
4
4
μ
s
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
100
100
μ
s
—
t
OESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μ
s
—
t
CSP
CE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μ
s
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
500
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F002SB | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲器) |
| MBM29F002ST | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲器) |
| MBM29F002T | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲器) |
| MBM29F016-12 | CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲器) |
| MBM29F016-90 | CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F002BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT |
| MBM29F002BC-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT |
| MBM29F002BC-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT |
| MBM29F002BC-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT |
| MBM29F002T-90PD# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。