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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F002TC-90 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 2M (256K X 8) BIT |
| 中文描述： | 200萬（256K × 8）位 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 42/46頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | MBM29F002TC-90 |
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42
MBM29F002TC
-55/-70/-90
/MBM29F002BC
-55/-70/-90
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
TSOP(I) PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
I
PLCC PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
8
sec
Excludes 00H programming
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
150
μ
s
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
2.1
5
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycles
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8
10
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8
10
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F002B | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F002SB | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F002ST | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MBM29F004BC-70PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT |
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| MBM29F004BC-90PD | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT |
| MBM29F004BC-90PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT |
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