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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F016A-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (2M X 8) BIT |
| 中文描述： | 1,600（2米× 8）位 |
| 文件頁數(shù)： | 5/43頁 |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | MBM29F016A-70 |
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5
MBM29F016A
-70/-90/-12
I
PRODUCT LINE UP
I
BLOCK DIAGRAM
Part No.
MBM29F016A
Ordering Part No.
V
CC
= 5.0 V ±5%
-70
—
—
V
CC
= 5.0 V ±10%
—
-90
-12
Max. Address Access Time (ns)
70
90
120
Max. CE Access Time (ns)
70
90
120
Max. OE Access Time (ns)
40
40
50
V
SS
V
CC
WE
CE
OE
A
0
to A
20
Erase Voltage
Generator
DQ
0
to DQ
7
State
Control
Command
Register
Program Voltage
Generator
Low V
CC
Detector
Address
Latch
X-Decoder
Y-Decoder
Cell Matrix
Y-Gating
Chip Enable
Output Enable
Logic
Data Latch
Input/Output
Buffers
STB
STB
Timer for
Program/Erase
RESET
RY/BY
Buffer
RY/BY
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-90 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8位閃速存儲器) |
| MBM29F017-12 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲器) |
| MBM29F017-90 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲器) |
| MBM29F017A | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-70PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
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