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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F016A-70PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | MBM29F016A-70PFTR |
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23
MBM29F016A
-70/-90/-12
I
AC CHARACTERISTICS
Read Only Operations Characteristics
Note:
1. Test Conditions:
Output Load: 1 TTL gate and 30 pF
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing measurement reference level
Input: 1.5 V
Output: 1.5 V
Parameter
Symbols
Description
Test Setup
-70
(Note1)
-90
(Note2)
-12
(Note2)
Unit
JEDEC Standard
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
—
Min.
70
90
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE = V
IL
OE = V
IL
Max.
70
90
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE = V
IL
Max.
70
90
120
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
—
Max.
40
40
50
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output HIGH-Z
—
Max.
20
20
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output HIGH-Z
—
Max.
20
20
30
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses,
CE or OE, whichever occurs first
—
Min.
0
0
0
ns
—
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
—
Max.
20
20
20
μ
s
Figure 4 Test Conditions
Note:
1. C
L
= 30 pF including jig capacitance
2. C
L
= 100 pF including jig capacitance
C
L
5.0 V
Diodes = IN3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
IN3064
or Equivalent
6.2 k
Note: 2. Test Conditions:
Output Load: 1 TTL gate and 100 pF
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.45 V to 2.4 V
Timing measurement reference level
Input: 0.8 V and 2.0 V
Output: 0.8 V and 2.0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-90PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTR | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F016A-70 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-90 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
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