- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377942 > MBM29F016A-90PFTN (FUJITSU LTD) 16M (2M X 8) BIT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F016A-90PFTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M (2M X 8) BIT |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 21/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | MBM29F016A-90PFTN |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁當前第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁
21
MBM29F016A
-70/-90/-12
I
MAXIMUM OVERSHOOT
Figure 1 Maximum Negative Overshoot Waveform
+0.8 V
–0.5 V
20 ns
–2.0 V
20 ns
20 ns
Figure 2 Maximum Positive Overshoot Waveform 1
+2.0 V
V
CC
+0.5 V
20 ns
V
CC
+2.0 V
20 ns
20 ns
V
CC
+0.5 V
+13.0 V
20 ns
+14.0 V
20 ns
20 ns
Figure 3 Maximum Positive Overshoot Waveform 2
* : This waveform is applied for A
9
, OE, and RESET.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-90PFTR | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F016A-70 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8位閃速存儲器) |
| MBM29F017-12 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-90PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。