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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F016A-90PFTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 16M (2M X 8) BIT |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 38/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | MBM29F016A-90PFTN |
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38
MBM29F016A
-70/-90/-12
Figure 20 Sector Group Protection Algorithm
Setup Sector Group Addr.
(
A
20
, A
19
, A
18
)
Activate WE Pulse
WE = V
IH,
CE = OE = V
IL,
(A
9
should remain V
ID
)
Yes
Yes
No
No
PLSCNT = 1
Time out 100
μ
s
Read from Sector Group
Addr. (A
20
, A
19
, A
18
)
A
1
= 1, A
0
= A
6
= 0
Increment PLSCNT
No
Yes
Protect Another Sector
Group
Start
Sector Protection
Completed
Data = 01H
PLSCNT = 25
Device Failed
Remove V
ID
from A
9
Write Reset Command
Remove
V
ID
from A
9
Write Reset Command
OE = V
ID
, A
9
= V
ID
,
CE = V
IL
, RESET = V
IH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-90PFTR | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F016A-70 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F017-12 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-90PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
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