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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F016A-90PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 27/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | MBM29F016A-90PFTR |
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27
MBM29F016A
-70/-90/-12
Figure 6 AC Waveforms for Alternate WE Controlled Program Operations
Notes:
1.PA is address of the memory location to be programmed.
2.PD is data to be programmed at byte address.
3.DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4.D
OUT
is the output of the data written to the device.
5.Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.
t
WP
t
DF
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
5.0 V
CE
OE
t
RC
Addresses
Data
t
AS
t
OE
t
WPH
t
CS
t
DH
DQ
7
PD
A0H
D
OUT
t
CE
WE
555H
PA
PA
t
OH
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
GHWL
t
CH
D
OUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-70 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F017-12 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F017-90 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F017A | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PNS | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
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