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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F016A-90PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | MBM29F016A-90PFTR |
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5
MBM29F016A
-70/-90/-12
I
PRODUCT LINE UP
I
BLOCK DIAGRAM
Part No.
MBM29F016A
Ordering Part No.
V
CC
= 5.0 V ±5%
-70
—
—
V
CC
= 5.0 V ±10%
—
-90
-12
Max. Address Access Time (ns)
70
90
120
Max. CE Access Time (ns)
70
90
120
Max. OE Access Time (ns)
40
40
50
V
SS
V
CC
WE
CE
OE
A
0
to A
20
Erase Voltage
Generator
DQ
0
to DQ
7
State
Control
Command
Register
Program Voltage
Generator
Low V
CC
Detector
Address
Latch
X-Decoder
Y-Decoder
Cell Matrix
Y-Gating
Chip Enable
Output Enable
Logic
Data Latch
Input/Output
Buffers
STB
STB
Timer for
Program/Erase
RESET
RY/BY
Buffer
RY/BY
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-70 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F017-12 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F017-90 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F017A | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PNS | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
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