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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F040A-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4M (512K ×8) BIT Flash Memoery(512K ×8位 5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 4分（為512k × 8）位閃存Memoery（為512k × 8位5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 27/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 492K |
| 代理商： | MBM29F040A-70 |
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27
MBM29F040A
-70/-90/-12
Figure 7 Alternate CE Controlled Program Operation Timings
Notes: 1.PA is address of the memory location to be programmed.
2.PD is data to be programmed at byte address.
3.DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4.D
OUT
is the output of the data written to the device.
5.Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.
t
GHEL
t
CP
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
5.0V
WE
OE
Addresses
Data
t
AS
t
CPH
t
WS
t
DH
DQ
7
PD
A0H
D
OUT
CE
5555H
PA
PA
Data Polling
3rd Bus Cycle
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F040A-90 | 4M (512K ×8) BIT Flash Memoery(512K ×8位 5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29F040A | 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲器) |
| MBM29F040C | 4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55 | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| MBM29F040C-55PD | 4M (512K X 8) BIT |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F040A-90-X | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040C | 制造商:FUJRTSU 功能描述: |
| MBM29F040C-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55PD | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT |
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