參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29F040A
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 4分（為512k × 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓為512k × 8位閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 16/19頁
文件大小： 286K
代理商： MBM29F040A
16
MBM29F040A
-90-X/-12-X
I
PACKAGE DIMENSIONS
+0.05
+.002
–.001
INDEX
0.10(.004)
0.20
.008
(.410±.020)
10.41±0.51
TYP
0.66(.026)
TYP
0.43(.017)
REF
10.16(.400)
7.62(.300)REF
(.050±.005)
1.27±0.13
TYP
R0.95(.037)
(.510±.020)
12.95±0.51
(.134±.006)
2.25±0.38
3.40±0.16
(.089±.015)
0.64(.025)
MIN
(.588±.005)
14.94±0.13
(.550±.003)
13.97±0.08
(.487±.005)
11.43±0.08
12.37±0.13
(.450±.003)
14
20
29
21
13
5
30
32
4
1
1994 FUJITSU LIMITED C32021S-2C-4
C
32-Pin Plastic LCC
(LCC-32P-M02)
Dimensions in mm(inches)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29F040C 4M (512K X 8) BIT
MBM29F040C-55 Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-PDIP -40 to 85
MBM29F040C-55PD 4M (512K X 8) BIT
MBM29F040C-55PFTN Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85
MBM29F040C-55PFTR Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29F040A-12 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT
MBM29F040A-12-X 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT
MBM29F040A-90-X 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT
MBM29F040C 制造商:FUJRTSU 功能描述:
MBM29F040C-55 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT
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