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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F200TC-90 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| 中文描述： | 200萬（256 × 8/128K × 16）位 |
| 文件頁數(shù)： | 39/48頁 |
| 文件大小： | 508K |
| 代理商： | MBM29F200TC-90 |
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39
MBM29F200TC
-55/-70/-90
/MBM29F200BC
-55/-70/-90
Figure 18 Embedded Erase Algorithm
EMBEDDED ALGORITHMS
* :The sequence is applied for
×
16 mode.
The addresses differ from
×
8 mode.
Start
555H/AAH
2AAH/55H
555H/AAH
555H/80H
555H/10H
2AAH/55H
555H/AAH
2AAH/55H
555H/AAH
555H/80H
2AAH/55H
Additional sector
erase commands
are optional.
Write Erase Command
Sequence
(See Below)
Data Polling or Toggle Bit
Successfully Completed
Erasure Completed
Chip Erase Command Sequence*
(Address/Command):
Individual Sector/Multiple Sector*
Erase Command Sequence
(Address/Command):
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Sector Address/30H
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F200TC-90PF | Replaced by TPS2043B : 0.7A, 2.7-5.5V Triple (2In/3Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F200TC-90PFTN | 2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29F200TC-90PFTR | 2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29F400BA | 4M (512K×8/256K ×16) Bit Flash Memory(4M 單5V 電源電壓512K×8/256K ×16位閃速存儲器) |
| MBM29F400TA | 4M (512K×8/256K ×16) Bit Flash Memory(4M 單5V 電源電壓512K×8/256K ×16位閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F200TC-90PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29F200TC-90PF-S# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F200TC-90PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29F200TC-90PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29F400BC-55 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
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