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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F400TC-90PF |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Quad Current-Limited Power Distribution Switches 16-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44 |
| 封裝： | PLASTIC, SOP-44 |
| 文件頁數(shù)： | 34/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 542K |
| 代理商： | MBM29F400TC-90PF |
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34
MBM29F400TC
-55/-70/-90
/MBM29F400BC
-55/-70/-90
Figure 13 Timing Diagram for Word Mode Configuration
CE
BYTE
t
ELFH
t
FHQV
A
-1
Data Output
(DQ
0
to DQ
7
)
DQ
15
DQ
15
/A
-1
DQ
0
to DQ
14
(DQ
0
to DQ
14
)
Data Output
Figure 14 Timing Diagram for Byte Mode Configuration
CE
BYTE
DQ
15
/A
-1
DQ
0
to DQ
14
t
ELFL
DQ
15
A
-1
t
FLQZ
Data Output
(DQ
0
to DQ
7
)
(DQ
0
to DQ
14
)
Data Output
Figure 15 BYTE Timing Diagram for Write Operations
CE or WE
BYTE
The falling edge of the last write signal
t
HOLD
(t
AH
)
t
SET
(t
AS
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F800B-12 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800T-12 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800T-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800B-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800B | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F400TC-90PF# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F400TC-90PF-SFL(E1) | 制造商:Spansion 功能描述: |
| MBM29F400TC-90PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29F400TC-90PFTN# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F400TC-90PFTN-SFLE1 | 制造商:Spansion 功能描述:IC 5V 4M FLASH 制造商:Fujitsu 功能描述: |
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