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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F400TC-90PF |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | Quad Current-Limited Power Distribution Switches 16-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44 |
| 封裝： | PLASTIC, SOP-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/47頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 542K |
| 代理商： | MBM29F400TC-90PF |
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5
MBM29F400TC
-55/-70/-90
/MBM29F400BC
-55/-70/-90
I
PRODUCT LINE UP
I
BLOCK DIAGRAM
Part No.
MBM29F400TC/MBM29F400BC
Ordering Part No.
V
CC
= 5.0 V ± 5 %
-55
—
—
V
CC
= 5.0 V ± 10 %
—
-70
-90
Max. Address Access Time (ns)
55
70
90
Max. CE Access Time (ns)
55
70
90
Max. OE Access Time (ns)
30
30
35
V
SS
V
CC
WE
CE
OE
A
0
to A
17
Erase Voltage
Generator
DQ
0
to DQ
15
State
Control
Command
Register
Program Voltage
Generator
Low V
CC
Detector
Address
Latch
X-Decoder
Y-Decoder
Cell Matrix
Y-Gating
Chip Enable
Output Enable
Logic
Data Latch
Input/Output
Buffers
STB
STB
Timer for
Program/Erase
A
-1
BYTE
RESET
RY/BY
Buffer
RY/BY
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F800B-12 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800T-12 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800T-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800B-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800B | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F400TC-90PF# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F400TC-90PF-SFL(E1) | 制造商:Spansion 功能描述: |
| MBM29F400TC-90PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29F400TC-90PFTN# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F400TC-90PFTN-SFLE1 | 制造商:Spansion 功能描述:IC 5V 4M FLASH 制造商:Fujitsu 功能描述: |
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