參數(shù)資料
型號: MBM29LV002T
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
中文描述: 200萬的CMOS(256K × 8)快閃記憶體(200萬的CMOS(256K × 8)位單5V的電源電壓閃速存儲器)
文件頁數(shù): 23/45頁
文件大小: 279K
代理商: MBM29LV002T
23
MBM29LV002T/MBM29LV002B
I
AC CHARACTERISTICS
Read Only Operations Characteristics
Note:
Test Conditions: Output Load: 1 TTL gate and 30 pF (MBM29LV002T-10/B-10)
1 TTL gate and 100 pF (MBM29LV002T-12,-15/B-12,-15)
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing measurement reference level
Input: 1.5 V
Output: 1.5 V
Parameter
Symbols
Description
Test Setup
-10
(Note)
-12
(Note)
-15
(Note)
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
Min.
100
120
150
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE = V
IL
OE = V
IL
Max.
100
120
150
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE = V
IL
Max.
100
120
150
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max.
40
50
55
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High-Z
Max.
30
30
40
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High-Z
Max.
30
30
40
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From
Addresses, CE or OE, Whichever
Occurs First
Min.
0
0
0
ns
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
Max.
20
20
20
μ
s
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PDF描述
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